Ein kurzer Einwurf zu den verschiedenen DRAM Typen

- Fast Page Mode. Normale DRAMs (256 Spalten, Pagegröße bei 16 Bit immerhin 512 Bytes) schreiben nach einem CAS den Inhalt der Schreib-/Leseverstärker zurück, was viel Zeit kostet. Fast-Page-Mode-DRAM-Bausteine schreiben die Daten dagegen erst dann zurück, wenn die Page gewechselt wird. Die Wirkung ist beachtlich: innerhalb einer Page (Seite) sind dann bei einem Page Hit rund dreimal so schnelle Zugriffe möglich wie bei einem normalen RAS/CAS-Zugriff.

- Enhanced Data Out, hält die Daten eines Lesezugriffs gültig, auch wenn die Spaltenadresse schon wieder ungültig geworden ist, also das CAS-Signal bereits wieder weggenommen wurde. Das erlaubt beim Lesen bereits die Reihenadresse für den nächsten Zugriff vorzubereiten, während die Daten noch eingelesen werden. Bei normalen RAMs geht das nicht, da muß die Spaltenadresse anliegen, damit die Daten gelesen werden können. Auf gut Deutsch: Das CAS-Timing ist bei EDO-Rams kürzer (25 versus 40 Nanosekunden bei 60ns DRAM) als bei FPM-Rams. Auf üblichen Systemen spart man damit beim Lesen jeweils einen Taktzyklus (x-2-2-2 statt x-3-3-3 Burstrate).

- Burst Edo, ist schon wieder gestorben (ein Danke an die Firma Intel) obwohl es die derzeit schnellste existierende DRAM Technologie ist/war. Anzumerken ist noch, daß FPM-Module seltener werden im Handel und EDO-Module mittlerweile vom Preis her auf dem Niveau angekommen sind, den früher die FPM-Module besaßen, was weiter heißt, daß man den Hauptspeicher problemlos aufrüsten kann, weil die entsprechenden PS/2-SIMM-Module an jeder Ecke zu bekommen sind.